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苏晓东/孙华课题组在Progress in Photovoltaics上发表研究论文

    苏晓东/孙华(共同通讯作者)课题组的研究成果“Forming submicron in micron texture on the diamond-wire-sawn mc-Si wafer by introducing artificial defects”,近日正式发表在光伏国际权威期刊Progress in Photovoltaics (影响因子7.776),这也是该课题组自2019年以来在该刊发表的第二篇论文。课题组博士生吴成坤和邹帅为共同一作,本工作也是千亿手机app下载和苏州阿特斯研发部产学研合作的成果。  

    该研究工作基于痕量Ag湿法黑硅技术技术将“纳米人工缺陷”引入金刚线切多晶硅片表面,再采用常规酸制绒技术即可形成一种独特的亚微-微米双尺度复合绒面(SIM texture)。不同于常规酸制绒的微米绒面(Micron texture),也不同于主流黑硅技术制绒的亚微米绒面(Submicron texture)SIM绒面的多晶电池片不仅有较好的光学和电学性能,还有较好的外观。课题组对SIM绒面的形成动力学和陷光机制进行了深入的阐述,该工作为高效晶硅电池陷光绒面的制备提供了新的可行技术途径。

  

    论文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pip.3271

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